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    2D Semiconductors:探索微觀世界的力量

    更新時(shí)間:2025-04-15      點(diǎn)擊次數(shù):1293

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    2Dsemiconductors公司,旨在重塑材料科學(xué)與工程的整體格局。公司由一群在學(xué)術(shù)研究、制造、技術(shù)、工藝工程及界面設(shè)計(jì)工程領(lǐng)域擁有多元背景的遠(yuǎn)見者共同創(chuàng)立,致力于重新定義量子材料、新興半導(dǎo)體及下一代材料系統(tǒng)的可能性。

    2Dsemiconductors致力于彌合學(xué)術(shù)界與工業(yè)界之間的知識(shí)與經(jīng)驗(yàn)鴻溝,挑戰(zhàn)傳統(tǒng)范式,推動(dòng)材料科學(xué)與工程的革新。我們的使命是承擔(dān)行業(yè)伙伴不敢涉足的風(fēng)險(xiǎn),通過創(chuàng)新材料系統(tǒng)突破科學(xué)與工程發(fā)現(xiàn)的邊界。

    2Dsemiconductors始終以研發(fā)為核心,累計(jì)發(fā)布了200余種突破性層狀研發(fā)級(jí)晶體,以行業(yè)推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。這些創(chuàng)新不僅彰顯了技術(shù)實(shí)力,更鞏固了我們?cè)陔娮印⑽锢?、化學(xué)、生物學(xué)及跨學(xué)科科學(xué)領(lǐng)域拓展邊界的地位。通過化學(xué)氣相傳輸、布里奇曼生長法、熔劑生長法、原子層沉積、分子束外延、化學(xué)氣相沉積、液相合成、高壓合成等技術(shù),我們持續(xù)探索并應(yīng)用多元化工藝,打造材料系統(tǒng)。


    核心優(yōu)勢

    1.技術(shù):液相剝離技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.9%純度單層薄膜量產(chǎn),層數(shù)控制精度達(dá)±1?;

    2.規(guī)?;a(chǎn)能力:月產(chǎn)能突破萬平方米,覆蓋從研發(fā)樣品到工業(yè)級(jí)批量的全鏈條需求;

    3.材料多樣性:提供20余種二維半導(dǎo)體材料庫,適配光電器件、傳感器、柔性電子等多元場景;

    4.質(zhì)量管控體系:通過ISO 9001/14001雙認(rèn)證,材料性能通過IMEC、AIST等國際機(jī)構(gòu)驗(yàn)證;

    5.可持續(xù)發(fā)展:采用無污染制備工藝,碳排放較傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料降低80%。


    主要產(chǎn)品、技術(shù)介紹:

    1.2'' wafer CVD Monolayers or Few-layers (Select material)

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    2英寸c向切割藍(lán)寶石襯底上的全覆蓋單層MoS?、MoSe?、WS?、WSe?(少層樣品可定制)。所有CVD生長的過渡金屬硫族化合物(TMDs)均表現(xiàn)出高發(fā)光特性,拉曼光譜研究進(jìn)一步證實(shí)了單層厚度。

    采用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)合成這些單層材料,在半導(dǎo)體級(jí)潔凈室中使用6N級(jí)(99.9999%)高純度氣體和前驅(qū)體,制備出結(jié)晶度高、晶粒尺寸達(dá)1-50微米的大面積樣品。與常規(guī)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝不同(后者通常存在大范圍缺陷且晶粒尺寸僅10納米至500納米),本工藝生長的樣品始終保持高結(jié)晶度、高發(fā)光性,且無碳污染層殘留。


    2.As2S3 Crystal

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    硫化砷(As?S?)具有2:3化學(xué)計(jì)量比。經(jīng)過3年累計(jì)250次生長試驗(yàn)后,實(shí)現(xiàn)了化學(xué)計(jì)量比、大晶疇尺寸(十萬分之一的晶胞缺陷密度)以及超高純度(99.9998%)。塊體形態(tài)下,砷硫化物(As?S?)是直接帶隙半導(dǎo)體,帶隙約2.5 eV。與二硫化鉬類似,其具有層狀(片層)結(jié)構(gòu),層間耦合較弱,可實(shí)現(xiàn)單層剝離。單層厚度約為0.8 nm,理論預(yù)言的單層As?S?仍待實(shí)驗(yàn)與理論突破。本產(chǎn)品晶體尺寸可達(dá)約8毫米,展現(xiàn)出優(yōu)異的光致發(fā)光特性。采用先進(jìn)生長技術(shù)培育8周,晶體結(jié)晶度優(yōu)異,拉曼光譜顯示特征峰半高寬小于6 cm?1。As?S?晶體易于機(jī)械剝離,是二維材料研究的理想選擇。


    3.2D Heterojunctions

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    已開發(fā)出可擴(kuò)展的方法,將二維CVD生長片層背對(duì)背轉(zhuǎn)移以構(gòu)建二維垂直異質(zhì)結(jié)。盡管二維半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)采用無化學(xué)轉(zhuǎn)移工藝,但預(yù)計(jì)在轉(zhuǎn)移過程中仍可能因應(yīng)變、基板和缺陷等因素導(dǎo)致二維層物理性質(zhì)發(fā)生變化。由于生產(chǎn)流程具有高度定制化特性,所有轉(zhuǎn)移類CVD產(chǎn)品一經(jīng)售出概不退款。

    該產(chǎn)品展示了我們?cè)诙喾N基板和異質(zhì)結(jié)排布方面的技術(shù)能力。定價(jià)主要取決于基板類型、CVD單層材料以及與您的應(yīng)用場景和樣品規(guī)格相關(guān)的其他技術(shù)挑戰(zhàn)。我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)致力于以經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方式為您打造定制化CVD產(chǎn)品。


    目標(biāo)客戶群體

    高校與科研院所:提供高純度基礎(chǔ)材料支持基礎(chǔ)研究;

    半導(dǎo)體晶圓廠:兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務(wù);

    新能源企業(yè):鈣鈦礦太陽能電池界面修飾材料定制;

    消費(fèi)電子品牌:折疊屏手機(jī)鉸鏈鉸支撐材料及柔性電路基板。


    常見問題與解答

    Q1:二維半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅基材料相比有何優(yōu)勢?

    A:二維材料具備原子級(jí)厚度、超高載流子遷移率和機(jī)械柔韌性,可突破摩爾定律極限,適用于更高集成度的柔性/異構(gòu)芯片設(shè)計(jì)。

    Q2:材料穩(wěn)定性如何保障?

    A:通過表面鈍化處理與封裝技術(shù),產(chǎn)品在空氣環(huán)境中可穩(wěn)定保存12個(gè)月以上,特殊型號(hào)可達(dá)24個(gè)月。

    Q3:是否支持小批量定制化生產(chǎn)?

    A:是的,最小起訂量為1cm×1cm標(biāo)準(zhǔn)尺寸,交貨周期為4-6周。

    Q4:是否有成功商業(yè)化案例?

    A:已與OLED面板廠商合作開發(fā)透明導(dǎo)電薄膜,良率達(dá)95%以上。

    Q5:環(huán)保合規(guī)性如何?

    A:生產(chǎn)過程符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),廢水回收利用率達(dá)98%,獲LEED鉑金級(jí)綠色工廠認(rèn)證。


    熱銷產(chǎn)品

    貨號(hào)

    品名

    規(guī)格

    品牌

    BLK-Fe3GaTe2

    Fe3GaTe2 Crystal

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    2dsemiconductors

    SOL-PTAS

    PTAS (liquid)

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-PTAS

    PTAS (solid)

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-MoS2-SYN-FLX

    MoS2 - Synthetic Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-TiS2

    TiS2 Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-HfS2-FLX

    HfS2 Crystal Flux zone growth

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    2dsemiconductors

    BLK-NbOCl2

    NbOCl2 Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-Ta3FeS6

    Ta3FeS6 Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-Cr2Te3

    Cr2Te3 Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-CrTe2

    CrTe2 Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-Fe4GeTe2

    Fe4GeTe2 Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    CVD-WSe2-ML-SP

    WSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

    ea

    2dsemiconductors

    CVD-WS2-ML-SP

    WS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

    ea

    2dsemiconductors

    CVD-SnSe2-ML-SP

    SnSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

    ea

    2dsemiconductors

    MBE-MoSe2

    MoSe2 - MBE on c-cut Sapphire

    ea

    2dsemiconductors

    CVD-MoSe2-ML-SP

    MoSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

    ea

    2dsemiconductors

    MBE-MoS2

    MoS2 - MBE on c-cut Sapphire

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    2dsemiconductors

    CVD-MoS2-ML-SP

    MoS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-BSCCO-2223

    BSCCO Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-YBCO

    YBCO Crystal,Up to 1 cm size

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-WSe2-P

    WSe2 Crystal

    p-Type

    2dsemiconductors

    BLK-GaPS4

    GaPS4 Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-BA

    Black Arsenic

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-ZrSe2

    ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-ZRS2

    Zirconium Disulfide (ZrS2)

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-ZrTe2

    ZrTe2 Crystal

    ea

    2dsemiconductors

    CVD-MoS2-ML-S

    Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si

    ea

    2dsemiconductors

    CVD-WS2-ML-SiO2Si

    WS2 on SiO2/Si

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-hBN-HPA

    Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

    ea

    2dsemiconductors

    BLK-WS2

    Tungsten Disulfide (WS2)

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    2dsemiconductors


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